GJB 33A 14-2003 半导体分立器件，3DG44型硅超高频低噪声晶体管详细规范

GJB 中华人民共和国国家军用标准 FL 5961 GJB33A/14-2003 半导体分立器件 3DG44型硅超高频低噪声晶体管详细规范 Semiconductor discretedevices Detail specification for type 3DG44 silicon UHF low-noise transistor 2003—07-21发布 2003－10-01实施中国人民解放军总装备部‧批准 GJB 33A/14-2003 前言本规范是依附于国家军用标准GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》的产品详细规范，试验方法按照GJB128A-1997《半导体分立器件试验方法》的有关规定，电参数测试方法按照GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》和GJB128A-1997《半导体分立器件试验方法》的有关规定。本规范规定的器件质量保证等级为普军级、特军级和超特军级（分别用字母JP、JT和JCT表示）三个等级，以适应用户的使用要求。本规范由中国人民解放军总装备部电子信息基础部提出。本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范起草单位：信息产业部电子第四研究所。本规范主要起草人：赵英、高颖。

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本文档由人生无常于 2024-06-30 20:06:47上传分享