书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犆犆犛犎 ８３ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ２０２２９ — ２０２２ /G21 /G22 犌犅 ／ 犜 ２０２２９ — ２００６ /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 犌犪犾犾犻狌犿狆犺狅狊狆犺犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾 　 ２０２２  ０３  ０９ /G28 /G29 ２０２２  １０  ０１ /G2A /G2B /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G28 /G29 书 书 书前 　　 言 　　 本文件按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２０２０ 《 标准化工作导则 　 第 １ 部分 ： 标准化文件的结构和起草规则 》 的规定起草 。 本文件代替 ＧＢ ／ Ｔ２０２２９ — ２００６ 《 磷化镓单晶 》， 与 ＧＢ ／ Ｔ２０２２９ — ２００６ 相比 ， 除结构调整和编辑性改动外 ， 主要技术变化如下 ： ａ ） 　 更改了适用范围 （ 见第 １ 章 ， ２００６ 年版的第 １ 章 ）； ｂ ） 　 增加了 “ 术语和定义 ” 一章 （ 见第 ３ 章 ）； ｃ ） 　 更改了牌号的表示方法 （ 见第 ４ 章 ， ２００６ 年版的 ３．１ ）； ｄ ） 　 更改了掺杂 ｎ 型磷化镓单晶锭的载流子浓度 、 电阻率要求 （ 见 ５．１．１ ， ２００６ 年版的 ３．２．２ ）； ｅ ） 　 增加了 ｐ 型 、 半绝缘型磷化镓单晶锭的电学性能要求 （ 见 ５．１．１ ）； ｆ ） 　 删除了磷化镓单晶锭直径的要求 （ 见 ２００６ 年版的 ３．２．４ ）； ｇ ） 　 增加了磷化镓单晶锭的位错密度要求 （ 见 ５．１．３ ）； ｈ ） 　 删除了磷化镓单晶锭无孪晶线的要求 （ 见 ２００６ 年版的 ３．２．５ ）； ｉ ） 　 更改了磷化镓单晶研磨片位错密度的要求 （ 见 ５．２．１ ， ２００６ 年版的 ３．３．２ ）； ｊ ） 　 增加了磷化镓单晶研磨片表面取向的要求 （ 见 ５．２．２ ）； ｋ ） 　 更改了直径 ５０．８ｍｍ 磷化镓单晶研磨片的厚度及允许偏差要求 （ 见 ５．２．３ ， ２００６ 年版的 ３．３．４ ）； ｌ ） 　 增加了磷化镓单晶研磨片几何参数中翘曲度 、 总厚度变化 、 总指示读数的要求 （ 见 ５．２．３ ）； ｍ ） 　 增加了直径 ６３．５ｍｍ 、 ７６．２ｍｍ 磷化镓单晶研磨片的几何参数要求 （ 见 ５．２．３ ）； ｎ ） 　 更改了磷化镓单晶研磨片表面质量的要求 （ 见 ５．２．４ ， ２００６ 年版的 ３．３．３ ）； ｏ ） 　 更改了试验方法 （ 见第 ６ 章 ， ２００６ 年版的第 ４ 章 ）； ｐ ） 　 更改了组批 、 检验项目 、 取样及检验结果的判定 （ 见第 ７ 章 ， ２００６ 年版的第 ５ 章 ）； ｑ ） 　 更改了标志的要求 （ 见 ８．１ ， ２００６ 年版的 ６．１ ）； ｒ ） 　 更改了包装的要求 （ 见 ８．２ ， ２００６ 年版的 ６．２ 、 ６．３ ）； ｓ ） 　 更改了随行文件的要求 （ 见 ８．５ ， ２００６ 年版的 ６．５ ）； ｔ ） 　 增加了订货单内容 （ 见第 ９ 章 ）； ｕ ） 　 增加了规范性附录 “ 磷化镓单晶位错密度的测试方法 ”（ 见附录 Ａ ）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本文件起草单位 ： 中国电子科技集团公司第十三研究所 、 有研国晶辉新材料有限公司 、 有色金属技术经济研究院有限责任公司 。 本文件主要起草人 ： 孙聂枫 、 王阳 、 李晓岚 、 刘惠生 、 李素青 、 王书杰 、 邵会民 、 史艳磊 、 张路 、 许兴 、 付莉杰 、 张晓丹 、 姜剑 。 本文件于 ２００６ 年首次发布 ， 本次为第一次修订 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ２０２２９ — ２０２２ 磷化镓单晶 １ 　 范围 本文件规定了磷化镓单晶的牌号 、 技术要求 、 试验方法 、 检验规则 、 标志 、 包装 、 运输 、 贮存和随行文件及订货单内容 。 本文件适用于制作光电 、 微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 。 其中 ， 注日期的引用文件 ， 仅该日期对应的版本适用于本文件 ； 不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５５ 　 半导体单晶晶向测定方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ４３２６ 　 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 ＧＢ ／ Ｔ６６１８ 　 硅片厚度和总厚度变化测试方法 ＧＢ ／ Ｔ６６２０ 　 硅片翘曲度非接触式测试方法 ＧＢ ／ Ｔ６６２１ 　 硅片表面平整度测试方法 ＧＢ ／ Ｔ６６２４ 　 硅抛光片表面质量目测检验方法 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 　 半导体材料牌号表示方法 ＳＪ ／ Ｔ１１４８８ 　 半绝缘砷化镓电阻率 、 霍尔系数和迁移率测试方法 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的术语和定义适用于本文件 。 ４ 　 牌号 磷化镓单晶锭和磷化镓单晶研磨片的牌号表示方法应符合 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 的规定 。 ５ 　 技术要求 ５ ． １ 　 磷化镓单晶锭特性 ５ ． １ ． １ 　 电学性能 磷化镓单晶锭的电学性能应符合表 １ 的规定 。 １ 犌犅 ／ 犜 ２０２２９ — ２０２２ 表 １ 　 电学性能 导电类型 掺杂剂电阻率 Ω · ｃｍ 载流子浓度 ｃｍ －３ 迁移率 ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ） ｎ 型 Ｓ ０．０１ ～ ０．５ １．０×１０ １７ ～ １．０×１０ １８ ≥ １００ Ｔｅ ０．０１ ～ ０．５ １．０×１０ １７ ～ １．０×１０ １８ ≥ １００ 非掺 — ０．５×１０ １７ ～ ２．０×１０ １７ ≥ １１０ ｐ 型 Ｚｎ — ≥ １×１０ １７ ≥ ２０ 半绝缘型 （ ＳＩ ） Ｆｅ ≥ ５×１０ ７ — — ５ ． １ ． ２ 　 晶向 磷化镓单晶锭的晶向为 〈 １１１ 〉。 ５ ． １ ． ３ 　 位错密度 磷化镓单晶锭的位错密度应符合表 ２ 的规定 。 表 ２ 　 位错密度 级别位错密度 个 ／ ｃｍ ２ Ⅰ ≤ １×１０ ５ Ⅱ ≤ ３×１０ ５ Ⅲ ≤ ５×１０ ５ ５ ． １ ． ４ 　 外观质量 磷化镓单晶锭的表面应无裂纹 、 无夹杂 、 无微孔等 。 ５ ． ２ 　 磷化镓单晶研磨片特性 ５ ． ２ ． １ 　 电学性能 、 位错密度 磷化镓单晶研磨片的电学性能 、 位错密度应分别符合磷化镓单晶锭特性中 ５．１．１ 、 ５．１．３ 的要求 ， 由供方提供对应磷化镓单晶锭的检验结果 。 ５ ． ２ ． ２ 　 表面取向 磷化镓单晶研磨片的表面取向为 （ １１１ ）， 偏离范围为 ±０．５° 。 ５ ． ２ ． ３ 　 几何参数 磷化镓单晶研磨片的几何参数应符合表 ３ 的规定 。 ２ 犌犅 ／ 犜 ２０２２９ — ２０２２