ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29508—2013 300mm硅 单晶切割片和磨削片 300mmmonocrystallinesiliconascutslicesandgrindedslices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 ⅠGB/T29508—2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 1 范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和 磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片, 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 技术要求 4.1 物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定。 1GB/T29508—2013 4.2 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格,按供需双方协商提供。 用户有特殊要求的,由供需双方协商提供。 表1 硅片几何参数要求 项目 指标 切 割 片硅片直径/mm 301 直径允许偏差/mm ±0.3 硅片厚度(中心点)/μm 910 厚度允许偏差/μm ±15 总厚度变化/μm ≤ 20 翘曲度/μm ≤ 50 崩边/mm ≤ 0.8 切口 有 磨 削 片硅片直径/mm 300 直径允许偏差/mm ±0.2 硅片厚度(中心点)/μm 820 厚度允许偏差/μm ±15 总厚度变化/μm ≤ 1.2 翘曲度/μm ≤ 45 崩边 无 4.3 晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定。 4.4 表面取向 4.4.1 硅片的表面取向为<100>。 4.4.2 硅片表面取向偏离不大于0.5°。 4.5 基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求。 表2 硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 <110>±1° 深度/mm 1.00+0.25 0.00 角度/(°) 90+5 -1 2GB/T29508—2013