ICS 29. 045 CCS H 82 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 1061—2024 代替YS/T 1061-2015 硅多晶用硅芯 Silicon cores for polysilicon 2024-10-24 发布 2025-05-01 实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 YS/T 1061—2024 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替YS/T1061一2015《改良西门子法多晶硅用硅芯》，与YS/T1061一2015相比，除结构调 整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a）标准名称由《改良西门子法多晶硅用硅芯》更改为《硅多晶用硅芯》； b) 更改了硅芯分类、尺寸及外形要求（见第4章，2015年版的第4章）； c） 更改了硅芯的技术要求（见4.3.2，2015年版的4.3.2）； (p 增加了施主杂质含量、受主杂质含量的检验方法（见5.6）； e） 更改了取样（见6.4，2015年版6.4）， 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）、全国半导体设备和材料标准化技术委员 会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。 本文件起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、有色金属技术经 济研究院有限责任公司、内蒙古和光新能源有限公司、四川永祥股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公 司、洛阳中硅高科技有限公司、新特能源股份有限公司、新疆戈恩斯能源科技有限公司。 本文件主要起草人：王彬、郭艳旗、徐梦、吴海啸、李素青、韩维炜、李寿琴、刘文明、张园园、 邱艳梅、李虎。 本文件于2015年首次发布为YS/T1061-2015，本次为第一次修订。 1 YS/T 1061—2024 硅多晶用硅芯 1范围 本文件规定了硅多晶用硅芯（以下简称硅芯）的技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运 输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1550 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 11336 直线度误差检测 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T24582 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T31854 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T37049 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法 3术语和定义 GB/T11336和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4技术要求 4.1分类 4. 1. 1 硅芯按截面形状分为：圆形、方形、菱形和三角形。 4. 1.2 硅芯按导电类型分为N型、P型和混合型。 4.2技术指标 4.2.1硅芯的外形、尺寸及允许偏差应符合表1的规定。 1