ICS 29.045 H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T35305—2017 太阳能电池用砷化傢单晶抛光片 Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35305—2017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中国科学院 半导体所。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、吕春富、董汝昆 GB/T35305—2017 太阳能电池用砷化缘单晶抛光片 1范围 本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、 贮存和质量证明书。 本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片（以下简称砷化抛光片）。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 25075 太阳能电池用砷化镓单晶 GB/T 25915.1 洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4要求 4.1分类 4.1.1砷化镓抛光片按导电类型分为N型和P型两种。 4.1.2砷化镓抛光片按直径大小分为g50.8mm、g76.2mm、g100.0mm三种。 4.2 2理化及电学性能 砷化镓抛光片的电阻率、载流子浓度、晶向及晶向偏离度、位错密度应符合GB/T25075的规定。 4.3 3几何参数 砷化抛光片的几何参数应符合表1的规定。 1 GB/T35305—2017 表 1 几何参数 项目 要求 直径/mm 80s 76.2 100.0 直径允许偏差/mm ±0.2 ±0.2 ±0.2 中心点厚度/um 220~280 320~380 350~450 厚度允许偏差/μm ±15 ±15 ±15 总厚度变化TTV/μm ≤10 ≤15 ≤15 主参考面长度/mm 16.0±1.0 22.0±1.0 32.0±1.0 弯曲度Bow/μm ≤15 20 ≤20 翘曲度Warp/μm ≤15 ≤20 ≤20 总平整度TIR/μm <5 ≤10 ≤10 4.4 强度 砷化镓抛光片的强度应不小于22.5N。 4.5 表面质量 砷化镓抛光片的表面质量应符合表2的规定。 表 2 表面质量 项目 要求 划伤 无 蚀坑 无 雾点 无 抛光片直径/mm 50.8 76.2 100.0 亮点（颗粒沾污≥0.3μm） 数量/（个/片） ≤10 ≤50 001 区域沾污 无 正 表 崩边（长×宽×深） wu 10'0xwu g0xuu s0% 面 裂纹 无 凹坑 无 沟(槽) 无 小丘 无 桔皮,波纹 无 表面粗糙度 Ra≤0.2 nm 2