ICS 31.080.99 GE CCS L 59 中华人民共和国国家标准 GB/T 44842—2024/IEC 62047-18:2013 薄膜微机电系统（MEMS）技术材料的弯曲试验方法 Micro-electromechanical systems （MEMS） technology- Bend testing methods of thin film materials (IEC 62047-18:2013, Semiconductor devices—Micro-electromechanical devicesPart 18: Bend testing methods of thin film materials, IDT) 2024-10-26发布 2024-10-26实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T 44842—2024/IEC 62047-18:2013 目次前言范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义符号和定义 4 测试结构 5 5.1 测试结构的设计 5.2 测试结构的制备 5.3 测试结构的宽度和厚度 5.4 试验前的储存试验方法 6 6.1 通则 6.2 测试结构的安装方法 6.3 加载方法 6.4 试验速度 6.5 位移测量 6.6 试验环境 6.7 数据分析 6.8 测试结构用材料 7试验报告附录A（资料性）测试结构/衬底接触面的注意事项附录B （资料性）力-位移关系的必要注意事项

GB-T 44842-2024 微机电系统（MEMS）技术薄膜材料的弯曲试验方法

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